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J-GLOBAL ID：200903081232141510

シリコン圧力センサのための保護ダイヤフラム

Inventor： ペーター バウアー ,  マンフレート フリムベルガー ,  ロレンツ プファウ ,  ヨーゼフ ディルマイアー ,  ギュンター エールラー
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996505349
Publication number (International publication number)：1998503021
Application date： Jul. 11, 1995
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】本発明は、シリコン圧力センサのための保護ダイヤフラムに関する。この保護ダイヤフラムによって、シリコンチップとその電気的な接続構造とを環境の有害な影響に対してシールドすることができる。この保護ダイヤフラムはその外周領域にエンボス加工部を有している。このエンボス加工部により、温度応力および圧縮応力を補償することができ、しかも保護ダイヤフラムの慣性に影響を与えることができる。

Claim (excerpt)：

シリコン圧力センサのための保護ダイヤフラムであって、該保護ダイヤフラムが、圧力を検出するシリコンチップ(2)の上方に所定の間隔を置いて配置されていて、シリコンチップ(2)を取り囲むカバー(7)に結合されている形式のものにおいて、 保護ダイヤフラム(8)が、弱通気性かつ非透水性の材料から製造されており、保護ダイヤフラム(8)とカバー(7)とシリコンチップ(2)とにより、閉じられた中空室(6)が形成されており、該中空室が空気を充填されていることを特徴とする、シリコン圧力センサのための保護ダイヤフラム。