超電導限流素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998001898
Publication number (International publication number)：1999204845
Application date： Jan. 07, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】超電導限流素子において、超電導薄膜を作製する基板の面積を大きくすることなく、限流素子容量の増大を図る。また、クエンチ時の過電流の一部を分流させる導電性導膜の利用効率を高め、限流素子容量の増大を図る。【解決手段】第1の基板1上に形成された超電導薄膜3と、第1の基板1とは異なる第2の基板2上に形成された導電性薄膜4bとを具備し、過電流により超電導薄膜3がクエンチした際に導電性薄膜4bに過電流の一部が分流する構造を有する超電導限流素子である。あるいは、基板上に作製された超電導薄膜および導電性薄膜と、超電導薄膜と前記導電性薄膜とを電気的に接続するブリッジ部とを具備し、過電流により前記超電導薄膜がクエンチした際にブリッジ部を通して過電流の一部が導電性薄膜に分流する構造を有する超電導限流素子である。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された超電導薄膜および導電性薄膜を具備し、過電流により前記超電導薄膜がクエンチした際に前記導電性薄膜に過電流の一部が分流する構造を有する超電導限流素子において、前記基板は前記超電導薄膜が形成された第1の基板と前記導電性薄膜が形成された第2の基板とを有することを特徴とする超電導限流素子。

IPC (3)：

H01L 39/16 , H02H 9/02 ZAA , H02H 9/02

FI (3)：

H01L 39/16 , H02H 9/02 ZAA A , H02H 9/02 ZAA B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

酸化物超電導膜を用いた限流導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-046873 Applicant：三菱電機株式会社

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