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J-GLOBAL ID:200903081232950833

電子放射素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993073992
Publication number (International publication number):1994290702
Application date: Mar. 31, 1993
Publication date: Oct. 18, 1994
Summary:
【要約】【目的】エミッタ基板周辺部での特性を改善しプレート状の素子全面に亘って良好且つ均一な特性を有する電子放射素子を得ることにある。【構成】貫通孔1aを有するゲート電極1と該貫通孔1aと対向する導電領域21に電子放出用微小突起状のエミッタ電極22を有するエミッタ基板20とを絶縁層2を介して積層したプレート状の電子放射素子であって、該電子放射素子は、前記ゲート電極板1側に曲率中心部Oをもつ所定曲率半径Rの球面状若しくは円柱面状の三次元曲面形状である電子放射素子とその製造方法。
Claim (excerpt):
貫通孔1aを有するゲート電極1と該貫通孔1aと対向する導電領域21に電子放出用微小突起状のエミッタ電極22を有するエミッタ基板20とを、絶縁層2を介して積層したプレート状の電子放射素子であって、該電子放射素子は、前記ゲート電極1側に曲率中心部Oをもつ所定曲率半径Rの球面状若しくは円柱面状の三次元曲面形状であることを特徴とする電子放射素子。
IPC (2):
H01J 1/30 ,  H01J 9/02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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