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J-GLOBAL ID：200903081234576130

半導体素子

Inventor： 竹谷 元伸 ,  簗嶋 克典 ,  池田 昌夫 ,  浅野 竹春 ,  池田 真朗 ,  日野 智公 ,  渋谷 勝義
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000010057
Publication number (International publication number)：2001196699
Application date： Jan. 13, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 基板の反りを防止することが可能であると共に、結晶性に優れたIII-V族窒化物半導体層を有する半導体素子を提供する。【解決手段】 サファイアよりなる基板11の上に、厚さが8μm以下のIII-V族窒化物半導体層20を備えている。これにより、基板11とIII-V族窒化物半導体層20との熱膨張係数の差や格子定数の違いによる基板11の反りが低減している。III-V族窒化物半導体層20を構成するn側コンタクト層23は、種結晶層22の結晶部22Aから横方向に成長されてなる横方向成長領域を部分的に有している。この横方向成長領域は転位密度が低く、そのためn側コンタクト層23の上に形成された各層の横方向成長領域に対応する部分における結晶性が高くなっている。

Claim (excerpt)：

基板の一面側に、III族元素のうちの少なくとも1種とV族元素のうちの少なくとも窒素(N)とを含むIII-V族窒化物半導体よりなる半導体層を備えた半導体素子であって、前記半導体層はIII-V族窒化物半導体が横方向に成長されてなる横方向成長領域を部分的に有すると共に、前記半導体層の厚さが8μm以下であることを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00 C

F-Term (17)：

5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA75 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29