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J-GLOBAL ID：200903081237610429

半導体装置の製造方法

Inventor： 宝蔵寺 裕之 ,  北村 輝夫 ,  三輪 孝志
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995136310
Publication number (International publication number)：1996330357
Application date： Jun. 02, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 ベース基板と半導体ペレット間の隙間領域に樹脂が充填される半導体装置の信頼性を高める技術を提供する。【構成】 ベース基板1と、このベース基板1のペレット塔載面上にバンプ電極3を介在して塔載された半導体ペレット2との間の隙間領域に樹脂4が充填される半導体装置の製造方法において、ベース基板1と半導体ペレット2との間の隙間領域に充填された樹脂4が硬化する前に樹脂4に振動を与える。樹脂4に与える振動は、ベース基板1と半導体ペレット2との間の隙間領域に樹脂4の充填が完了した後に行う。また、樹脂4に与える振動は、ベース基板1と半導体ペレット2との間の隙間領域に樹脂4を充填しながら行う。また、樹脂4に与える振動はベース基板1を加熱しながら行う。

Claim (excerpt)：

ベース基板と、このベース基板のペレット塔載面上にバンプ電極を介在して塔載された半導体ペレットとの間の隙間領域に樹脂が充填される半導体装置の製造方法において、前記ベース基板と半導体ペレットとの間の隙間領域に充填された樹脂が硬化する前に、前記樹脂に振動を与えることを特徴とする半導体装置の製造方法。