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J-GLOBAL ID:200903081240214364
レジスト組成物
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
野口 恭弘
Gazette classification:再公表公報
Application number (International application number):JP2002000794
Publication number (International publication number):WO2002065212
Application date: Jan. 31, 2002
Publication date: Aug. 22, 2002
Summary:
放射線に対する透明性、ドライエッチング性に優れ、さらに感度、解像度、平坦性、耐熱性等に優れたレジストパターンを与える化学増幅型レジスト組成物を提供すること。式(1)で表される含フッ素ジエンが環化重合した繰り返し単位を有する含フッ素ポリマーであってかつQにブロック化酸性基を有する含フッ素ポリマー(A)、光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物(B)および有機溶媒(C)を含むことを特徴とするレジスト組成物。(ただし、R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表し、Qは2価の有機基であってかつ酸により酸性基を発現することができるブロック化酸性基または該ブロック化酸性基に変換しうる基を有する有機基を表す。)
Claim (excerpt):
式(1)で表される含フッ素ジエンが環化重合した繰り返し単位を有する含フッ素ポリマーであってかつQがブロック化酸性基に変換しうる基を有する2価の有機基である場合は環化重合後に該基をブロック化酸性基に変換して得られる、ブロック化酸性基を有する含フッ素ポリマー(A)、光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物(B)および有機溶媒(C)を含むことを特徴とするレジスト組成物。
CF2=CR1-Q-CR2=CH2 ・・・(1)
(ただし、R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表し、Qは2価の有機基であってかつ酸により酸性基を発現することができるブロック化酸性基または該ブロック化酸性基に変換しうる基を有する有機基を表す。)
IPC (5):
G03F7/039
, C08F8/00
, C08F16/32
, C08F36/20
, H01L21/027
FI (5):
G03F7/039 601
, C08F8/00
, C08F16/32
, C08F36/20
, H01L21/30 502R
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