Pat
J-GLOBAL ID：200903081245787729

3次元デバイス構造の形成方法

Inventor：
小西 聡

About 小西 聡


Applicant, Patent owner：
学校法人立命館

About 学校法人立命館


Agent (1)： 渡辺 三彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999007503
Publication number (International publication number)：2000204479
Application date： Jan. 14, 1999
Publication date： Jul. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 3次元デバイス構造を、被成膜対象物に効率良く形成できると共に、被形成面が立体的である場合でも形成できる3次元デバイス構造の形成方法を提供する。【解決手段】 被成膜対象物1に対し、絶縁体溶液を所望のパターンで描画し、加熱、乾燥させることにより絶縁膜4を選択的に形成する工程と、シランカップリング剤溶液を所望のパターンで描画し、加熱、乾燥させ、表面活性化処理し、化学メッキすることにより金属膜5を選択的に形成する工程とを所定の組合せ及び順序で実行する。所定段階で前記絶縁膜4又は金属膜5の少なくとも一部を除去する。
Claim (excerpt)：
被成膜対象物に対し、絶縁体溶液を所望のパターンで描画し、加熱、乾燥させることにより絶縁膜を選択的に形成する工程と、シランカップリング剤溶液を所望のパターンで描画し、加熱、乾燥させ、表面活性化処理し、化学メッキすることにより金属膜を選択的に形成する工程とを所定の組合せ及び順序で実行することを特徴とする3次元デバイス構造の形成方法。
IPC (2)：
C23C 18/18 ,  H01L 21/288
FI (2)：
C23C 18/18 ,  H01L 21/288 Z
F-Term (26)：
4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022AA05 ,  4K022AA13 ,  4K022AA32 ,  4K022AA41 ,  4K022BA01 ,  4K022BA06 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA18 ,  4K022BA35 ,  4K022CA04 ,  4K022CA06 ,  4K022CA08 ,  4K022CA26 ,  4K022DA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104DD53 ,  4M104EE02 ,  4M104EE18 ,  4M104FF06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • ガラス基板の化学メッキ方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-097358   Applicant：キヤノン株式会社
  • 配線板の製造法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-061801   Applicant：日立化成工業株式会社

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM