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J-GLOBAL ID：200903081264071777

放熱部品および該放熱部品を備えた半導体レーザー

Inventor： 中村 勉 ,  井口 剛寿 ,  中井 哲男
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991160210
Publication number (International publication number)：1993013843
Application date： Jul. 01, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、半導体レーザーに用いる放熱部品の放熱特性を改善することである。【構成】 半導体レーザーは動作時の発熱を放熱するための放熱部品を備える。放熱部品は、ステムの上面に気相合成法により合成された多結晶ダイヤモンド層を形成している。半導体レーザー素子は気相合成ダイヤモンド層の表面にろう付け接合される。

Claim (excerpt)：

半導体素子を載置する載置面を有するステムと、前記ステムの前記載置面の表面を覆う気相合成多結晶ダイヤモンド層とを備えた、放熱部品。

IPC (3)：

H01S 3/043 ,  H01L 23/373 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01S 3/04 S ,  H01L 23/36 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平2-273960