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J-GLOBAL ID：200903081272710959
発光ダイオード
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993308230
Publication number (International publication number)：1995162036
Application date： Dec. 08, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 高輝度発光ダイオードを提供する。【構成】 AlGaInP4元混晶系ダブルヘテロ構造の上に、活性層のエネルギーギャップ以上のエネルギーギャップを有するAlGaAs層電流拡散層及びAlGaInPエッチングストップ層12を設ける。
Claim (excerpt)：
GaAs基板上にAlGaInP系の材料で作製したダブルヘテロ構造の発光部を有した発光ダイオードにおいて、ダブルヘテロ構造部上に活性層のエネルギーギャップ以上のエネルギーギャップを有するAlGaAs層およびAlGaInP層を順次具備していることを特徴とする発光ダイオード。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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