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J-GLOBAL ID：200903081273806607

浄水場におけるクリプトスポリジウム除去処理方法および設備

Inventor： 須藤 憲一 ,  落合 隆 ,  根本 茂
Applicant, Patent owner： 月島機械株式会社
Agent (1)： 永井 義久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997217695
Publication number (International publication number)：1999057785
Application date： Aug. 12, 1997
Publication date： Mar. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】クリプトスポリジウムを除去および死滅させ、水道水へのクリプトスポリジウムの混入を防止する。【解決手段】浄水場内で生じた排水を処理する排水処理系Aから浄水処理系Bへ移行させ、濃縮スラッジを加温手段12により60°C以上かつ30分以上の滞留時間をもって加温処理し、脱水処理14した後、脱水ケーキ16を最終的に浄水場外に排出し、浄水ろ過設備19からの排水20を、濃縮槽4の上澄液とともに、クリプトスポリジウムを除去できる膜ろ過装置8を通し、膜ろ過水9を浄水処理系Aの源流に返送する。

Claim (excerpt)：

浄水場における少なくとも沈澱池および浄水ろ過設備を順に備えた浄水処理系からの排水を、この排水を処理する排水処理系に移行させ、前記沈澱池における沈澱排水を前記排水処理系に設けた濃縮設備において濃縮し、その濃縮スラッジを加温手段により60°C以上かつ30分以上の滞留時間をもって加温処理し、脱水処理した後、脱水ケーキを最終的に浄水場外に排出し、前記浄水ろ過設備からの排水を、前記濃縮設備の上澄液とともに、クリプトスポリジウムを除去できる膜ろ過装置を通し、膜ろ過水を前記浄水処理系の源流に返送し、膜ろ過装置のろ過排水は前記濃縮設備に導くことを特徴とする浄水場におけるクリプトスポリジウム除去処理方法。

IPC (3)：

C02F 9/00 502 ,  C02F 9/00 ,  C02F 1/44

FI (4)：

C02F 9/00 502 C ,  C02F 9/00 502 E ,  C02F 9/00 502 P ,  C02F 1/44 H