半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長の改良法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：清水守
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008551465
Publication number (International publication number)：2009524250
Application date： Jan. 19, 2007
Publication date： Jun. 25, 2009
Summary：

故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性(Al,In,Ga,B)N半導体薄膜の成長を改良する方法である。具体的には、該方法は、基板を故意にミスカットするステップと、基板を反応装置内に装填するステップと、窒素および/または水素および/またはアンモニアの流れのもとで該基板を加熱するステップと、該加熱された基板上にInxGa1-xNの核生成層を成膜するステップと、該InxGa1-xN核生成層上に半極性窒化物半導体薄膜を成膜するステップと、該基板を窒素過圧のもとで冷却するステップとを備える。

Claim (excerpt)：

半極性窒化物半導体薄膜の成長を促進するための方法であって、故意にミスカットした基板上に半極性窒化物半導体薄膜を成膜するステップを備えることを特徴とする方法。

IPC (6)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 , C30B 25/20 , C30B 33/02 , C23C 16/34 , C23C 16/02

FI (6)：

H01L21/205 , C30B29/38 D , C30B25/20 , C30B33/02 , C23C16/34 , C23C16/02

F-Term (46)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077AB10 , 4G077BE11 , 4G077BE12 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077DB08 , 4G077EA06 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077FE05 , 4G077FE06 , 4G077FE10 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB02 , 4G077TB05 , 4G077TC03 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA17 , 4K030DA01 , 4K030JA01 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF14 , 5F045CA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化物系化合物半導体の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-150761 Applicant：日本電気株式会社
平坦な半極性窒化ガリウムの成長技術
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-500965 Applicant：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア, 独立行政法人科学技術振興機構
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-014946 Applicant：三洋電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Novel symmetry in the growth of gallium nitride on magnesium aluminate substrates

Return to Previous Page