Pat

J-GLOBAL ID：200903081285396544

窒化ガリウム結晶基板の製造方法

Inventor： 柴田 真佐知 ,  大島 祐一 ,  江利 健
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003062546
Publication number (International publication number)：2004269313
Application date： Mar. 07, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：

【課題】窒化ガリウム結晶基板作成時のクラックの発生による歩留まり低下を防ぐ。【解決手段】単結晶サファイア基板、サファイア基板上に単結晶窒化ガリウム膜を成長させた基板または単結晶半導体基板から選ばれるいずれかの出発基板上に金属膜または金属窒化膜を堆積させる工程と、前記金属膜または前記金属窒化膜上に窒化ガリウム膜を堆積させる工程と、前記窒化ガリウム膜を堆積させた基板にマイクロ波を照射して前記金属膜または前記金属窒化膜を選択的に加熱し、前記窒化ガリウム膜を堆積させた基板から前記出発基板を剥離して自立した窒化ガリウム基板を得る工程、とを有する窒化ガリウム結晶基板の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

単結晶サファイア基板、サファイア基板上に単結晶窒化ガリウム膜を成長させた基板または単結晶半導体基板から選ばれるいずれかの出発基板上に金属膜または金属窒化膜を堆積させる工程と、前記金属膜または前記金属窒化膜上に窒化ガリウムを堆積させる工程と、前記窒化ガリウムを堆積させた基板にマイクロ波を照射して前記金属膜または前記金属窒化膜を選択的に加熱し、前記窒化ガリウムを堆積させた基板から前記出発基板を分離または剥離して自立した窒化ガリウム基板を得る工程、とを有することを特徴とする窒化ガリウム結晶基板の製造方法。

IPC (4)：

C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (4)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C

F-Term (25)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077FH05 ,  4G077FJ03 ,  4G077TB02 ,  4G077TC13 ,  4G077TC16 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045HA18