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J-GLOBAL ID:200903081285854283
イオン選択性電極用高分子膜および陽イオン界面活性剤濃度の測定方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山口 和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992100207
Publication number (International publication number):1993273174
Application date: Mar. 27, 1992
Publication date: Oct. 22, 1993
Summary:
【要約】【目的】 陽イオン界面活性剤濃度を簡単に高精度で選択的に測定することができ、長期間の使用にも耐えるイオン選択性電極用高分子膜の提供、およびこれを用いた陽イオン界面活性剤濃度の測定方法の開発。【構成】(a)ポリ塩化ビニル、(b)可塑剤(c)?@テトラフェニルホウ素誘導体、?Aケイタングステン酸または、?Bリンモリブデン酸の第四級アンモニウム塩からなるイオン選択性電極用高分子膜、およびこのイオン選択性電極用高分子膜を装着したイオン選択性電極を用い、膜電位を測定することによる陽イオン界面活性剤濃度の測定方法。
Claim (excerpt):
(a)ポリ塩化ビニル24ないし30重量%(b)可塑剤75ないし60重量%および(c)下記一般式【化1】(式中A- は?@【化2】?A1/4[(SiO4 W12O36)4-]または?B1/3[(PO4 Mo12O36)3-]であり、R1 〜R4 はそれぞれ独立してC1 〜C18のアルキル基又はベンジル基、Y1 〜Y4 はそれぞれ独立して、H,F,Cl又はCF3 を示す。)で表わされる第4級アンモニウム塩が1ないし10重量%からなることを特徴とするイオン選択性電極用高分子膜。
IPC (2):
G01N 27/333
, G01N 27/416
FI (3):
G01N 27/30 331 A
, G01N 27/30 331 C
, G01N 27/46 341 G
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