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J-GLOBAL ID：200903081293085400

磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型薄膜ヘッド

Inventor： 入江 庸介 ,  横山 和夫 ,  楠本 修 ,  辻 弘恭 ,  深澤 利雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997342456
Publication number (International publication number)：1999177161
Application date： Dec. 12, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高感度・高出力な磁気抵抗効果型素子、ヘッドの特性の向上および安定化を実現する。【解決手段】 第1の強磁性層/絶縁層(トンネル障壁層)/第2の強磁性層/絶縁層(トンネル障壁層)/第3の強磁性層の2つの接合を有する構造においてトンネル障壁層を安定に保つために絶縁層の一部を酸化させないで残す。または、トンネル障壁保護層を界面に挿入する。さらに特性向上を実現するために多層構造を全て真空中で作成する。以上により、トンネル障壁層の界面が保護され、特性が安定するとともに耐熱性も向上する。また、真空中で作成することで比抵抗も小さくでき特性改善につながる。したがって高感度磁気抵抗効果素子、MRヘッド等への応用が可能となる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された少なくとも3つ以上強磁性層と少なくとも2つ以上のトンネル障壁を有する強磁性トンネル接合において、トンネル障壁層を形成する層の全部がトンネル障壁層であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  G01R 33/06 R