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J-GLOBAL ID：200903081303421080

誘電体薄膜の形成方法

Inventor： 大谷 成元
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992179920
Publication number (International publication number)：1994029462
Application date： Jul. 07, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高誘電率の薄膜の形成方法に関し、形成した誘電体膜の膜厚が薄い場合でもより高い誘電率を実現できる方法を提供する。【構成】 単一の誘電体結晶の成長と成長の中断とを所定回数繰り返して所定の膜厚の薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

単一の誘電体結晶の成長と成長の中断とを所定回数繰り返して所定の膜厚の薄膜を形成することを特徴とする誘電体薄膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/316