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J-GLOBAL ID：200903081309008222

極微細電極作製法と電子装置

Inventor： 山之内 和彦 ,  目黒 敏靖 ,  我妻 康夫 ,  小田川 裕之 ,  山本 圭一 ,  神田 誠 ,  田中 望
Applicant, Patent owner： 山之内 和彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993280012
Publication number (International publication number)：1995106895
Application date： Oct. 04, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は電極間で膜厚差をもつ電極或は材料の異なる電極を作製する方法と膜厚差或は電極材料の異なる電極を用いた弾性表面波一方向性変換器を得る方法とその方法を用いた電子装置を得ることを目的としている。【構成】絶縁性基板上に電極との間に膜厚差などをもつ極微細電極を作製する方法として、電源に接続された電極と接続されなかった電極との間で、陽極酸化されたレジスト膜を得る方法、或は電気分解法、或は電気メッキ法などを用いて、電極との間に膜厚差をもたせる作製法或は電極間で一部が異なる材料を得る方法及び電極との間に膜厚差をもつ電極或は電極間で一部が異なる材料をもつ電極を用いた弾性表面波一方向性変換器が本特許の構成である。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板或いは圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板或いは半絶縁性の基板或いは半導体基板の上に、電極間で膜厚差などをもつ極微細構造の電極を作製する方法として、微細電極パターンを形成した後、微細電極パターンの一部を陽極酸化電源に接続して電極薄膜の表面の一部を陽極酸化し、この酸化膜をレジスト膜として用いて陽極酸化されていない電極をエッチングする方法により、エッチングされた電極とエッチングされなかった電極との間に膜厚差をもつ極微細電極などを作製する作製方法、或は微細電極パターンを作製した後、微細電極パターンの一部を電源に接続して電気分解などにより薄膜電極の一部を除去する方法により、除去されなかった電極と除去された電極との間に膜厚差をもつ電極を作製方法、或は微細電極パターンを作製した後、微細電極パターンの一部を電源に接続して電気メッキなどにより堆積させる方法により、堆積しなかった電極と堆積した電極との間に膜厚差をもたせる作製法及びこれらの作製法を用いて得られる電子装置。

IPC (2)：

H03H 3/08 ,  H03H 9/145