薄膜電界効果トランジスタ、およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文 , 岡本正之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005379536
Publication number (International publication number)：2006261640
Application date： Dec. 28, 2005
Publication date： Sep. 28, 2006
Summary：

【課題】有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜上のチャネルへの電荷蓄積を容易にし、高い周波数特性を実現することを目的とする。【解決手段】本発明によると、基板110と、前記基板の上に設けられたゲート電極111と、前記ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜112と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられ、第1の有機電子材料を含有する第1の有機電子材料膜113と、前記第1の有機電子材料膜の上に設けられ、第2の有機電子材料と電子受容性材料または電子供与性材料とを含有する第2の有機電子材料膜130と、前記第1の有機電子材料膜および/または前記第2の有機電子材料膜と電気的に接して別個に設けられたソース電極115およびドレイン電極114とを有する薄膜電界効果トランジスタ、およびその製造方法が提供される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられ、第1の有機電子材料を含有する第1の有機電子材料膜と、前記第1の有機電子材料膜の上に設けられ、第2の有機電子材料と電子受容性材料または電子供与性材料とを含有する第2の有機電子材料膜と、前記第1の有機電子材料膜および/または前記第2の有機電子材料膜と電気的に接して別個に設けられたソース電極およびドレイン電極とを有する薄膜電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (5)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/28 100A , H01L29/28 220A , H01L29/28 250H

F-Term (23)：

4C062HH01 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF24 , 5F110GG05 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-067185 Applicant：パイオニア株式会社
表示装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-519496 Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
有機電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-142565 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (3)

有機薄膜トランジスタ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-329505 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
特開平4-049665
有機薄膜電界効果トランジスター
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-234920 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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