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J-GLOBAL ID:200903081318031342
放射線検出装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
吉田 研二 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995090605
Publication number (International publication number):1996285949
Application date: Apr. 17, 1995
Publication date: Nov. 01, 1996
Summary:
【要約】【目的】 放射線検出装置において、1つの検出器だけで中性子についての検出結果とγ線などについての検出結果とを同時に得る。【構成】 6 LiFから成るコンバータ層12は、中性子が入射するとα線などの重荷電粒子を放出する。コンバータ層12の厚さ設定の結果、コンバータ層12から出て検出器10に入射する重荷電粒子は一定以上のエネルギーを有する。検出器10は、空乏層の厚さが入射重荷電粒子の飛程よりも大きくかつ入射重荷電粒子より低い所定エネルギーのβ線の飛程よりも小さく設定されているため、入射重荷電粒子については全エネルギーを吸収して一定レベル以上の検出パルスを出力し、入射γ線などについては一定レベル以下の検出パルスしか出力しない。従って、検出器10の出力パルスを波高弁別することにより、中性子についての検出結果とγ線などについての検出結果とを同時に得ることができる。
Claim (excerpt):
中性子と反応して重荷電粒子を放出する薄膜層であって、その反応によって生じた重荷電粒子が当該層外に出るまでに失うエネルギーが所定値以下となる厚さに設定されたコンバータ層と、外界から入射するγ線及びβ線と前記コンバータ層から入射する重荷電粒子とを検出する半導体検出器であって、その空乏層の厚さが、当該半導体物質中における前記入射重荷電粒子の飛程よりも大きく、かつ前記入射重荷電粒子のエネルギーよりも小さい所定エネルギーのβ線の当該半導体物質中における飛程よりも小さく設定された半導体検出器と、前記入射重荷電粒子のエネルギーよりも小さくかつβ線についての前記所定エネルギーよりも大きい弁別閾値に基づき前記検出器の出力パルスを弁別するパルス弁別回路と、を有し、このパルス弁別回路の出力に基づき、前記検出器の出力パルスを、中性子についての検出パルスと、γ線又はβ線についての検出パルスと、に分離して計数することを特徴とする放射線検出装置。
IPC (3):
G01T 1/24
, G01T 1/38
, G01T 3/08
FI (3):
G01T 1/24
, G01T 1/38
, G01T 3/08
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