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J-GLOBAL ID：200903081321356210

半導体レーザー

Inventor： フェデリコ キャパソ ,  アルフレッド イー.チョー ,  ジェローム ファイスト ,  アルバート リー ハッチンソン ,  カルロ シルトリ ,  デボラ リー シヴコ
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996199944
Publication number (International publication number)：1997102653
Application date： Jul. 30, 1996
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 QCタイプのレーザーの設計上の大きな自由をデバイスの設計者に与えるために、単純な構造のQCレーザーを利用できるようにする。【解決手段】 開示されたユニポーラ量子カスケード(QC)レーザーは、超格子キャリヤー注入/緩和領域(11)によって分離された隣接の活性領域を持ち、多重の本質的に全く同じ活性領域を含む。所定の活性領域(10)は、少くとも2つの電子状態を持つ単一量子井戸(13)を含む。総括的な内部サブバンドの反転分布なしでレーザー光の発光が得られる。その代わりに、k=0近傍のk空間の小さい領域に、低いサブバンドの底からおよそ光フォノン・エネルギー(〜35meV)の範囲内に、電子エネルギーに対応して、ローカルな反転分布が存在すると考えられる。また、本質的にはどのようなQCレーザーの熱特性をも改良するのに使用される設計特微が開示される。

Claim (excerpt)：

ユニポーラ半導体レーザーから構成される物品であって、前記レーザーは、a)第一の導電タイプだけにドーピングされた半導体材料を含む多層の半導体構造と、b)前記多層の半導体構造間に電圧を印加するための手段と、から構成されていて、ここで、c)前記多層構造は、多重の本質的に全く同じ活性領域から構成され、前記活性領域(10)は所定の超格子キャリヤーの注入/緩和領域(11)によって隣接している活性領域から切り離されていて、d)所定の活性領域は単一の量子井戸(13)から構成され、前記量子井戸と関連して、第一の導電タイプの電荷キャリヤーに対して第一と第二のエネルギー状態があって、前記第二のエネルギー状態は前記第一のエネルギー状態よりもエネルギーが高くて、e)前記超格子キャリヤーの注入/緩和領域は、第一のエネルギー状態のキャリヤーに対して比較的伝達しやすく、第二エネルギー状態のキャリヤーに対して本質的にそれほど伝達しないように選択されて、そして、f)第一の導電タイプの電荷キャリヤーの少くともいくつかは、第二のエネルギー状態から第一のエネルギー状態への発光性遷移を受ける、ことを特徴とする、半導体レーザー。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 A