絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高野則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999084537
Publication number (International publication number)：2000277733
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】絶縁ゲート型電界効果トランジスタの高耐圧化が困難であった。【解決手段】多数のP型柱状ベース領域3をN型ドリフト領域1に設けると共に、柱状ベース領域3の外側に柱状のP型耐圧向上用領域12を設ける。耐圧向上用領域12よりも浅いP型の補助領域13を設ける。空乏層16をベース領域3の外周側に良好に形成して耐圧を高める。

Claim (excerpt)：

ドレイン領域とドリフト領域と複数のベース領域と複数のソース領域と複数の耐圧向上用領域とを有する半導体基体と、ゲート絶縁膜と、ドレイン電極と、ソース電極と、ゲート電極とを備え、前記ドリフト領域は前記ドレイン領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有し且つ前記半導体基体の一方の主面に露出する部分を有するように配置され、前記ドレイン領域は前記ドリフト領域と前記半導体基体の他方の主面との間に配置され、前記複数のベース領域のそれぞれは前記ドリフト領域の中に島状に分散配置され且つ前記半導体基体の一方の主面から他方の主面に向って柱状に延びており、前記複数のエミツタ領域のそれぞれは前記複数のベース領域の中に島状に配置され、前記複数の耐圧向上用領域は前記ベース領域と同一の導電型を有して前記ドリフト領域の中に島状に形成され且つ平面的に見て前記ベース領域の外側に前記ベース領域と同様に分散配置され且つ前記半導体基体の一方の主面から他方の主面に向って柱状に延びていることを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。

FI (4)：

H01L 29/78 652 C , H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 652 S , H01L 29/78 652 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭61-137368
特開平3-219678
特開昭57-206073

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