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J-GLOBAL ID：200903081331224974
薄膜太陽電池およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991252640
Publication number (International publication number)：1993095126
Application date： Oct. 01, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：
【要約】【目的】複数のa-Sipin接合構造を積層したタンデムセルにおいて、i層の次のセル側にある層を光が通過する際の光吸収ロスを低減して変換効率を向上させる。【構成】i層の次のセル側にある層を、SiH4 、CO2 、H2 およびドーピング用ガスの混合ガスの分解によって生ずるアモルファスシリコンオキサイドで形成する。この際、酸素量を多くすると光吸収ロスが低下するが、多くなりすぎると光導電率が低下するためバルク抵抗が大きくなり、直列抵抗成分が増加してフィルファクタが低下するので、a-Si(1-x) Ox で表わしたときのxを0.2 未満に抑える。
Claim (excerpt)：
アモルファスシリコンを主材料としてpin接合構造を複数積層してなるものにおいて、光の入射する側から最も遠くにあるpin接合構造を除く各pin接合構造のi層の反光入射側にあるp層あるいはn層が、一般式a-Si(1-x) Ox で表わされ、xが0.2 未満であるアモルファスシリコンオキサイドからなることを特徴とする薄膜太陽電池。
Patent cited by the Patent：
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