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J-GLOBAL ID：200903081344198620

逆導通絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法

Inventor： 渡邊 雅英
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992230638
Publication number (International publication number)：1994085269
Application date： Aug. 31, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】IGBTチップにダイオードを組込んで信頼性高く、寸法の小さい逆導通IGBTを製造する。【構成】例えばIGBTがnチャネルの場合、n形のFZシリコンウエーハを用いてその一側に不純物拡散でn+ バッファ層およびp+ コレクタ層を形成すれば、p+ コレクタ層に厚いシリコン基板を用いる場合と異なりp+ 層を薄くできるので、その表面からの不純物拡散によりn+ バッファ層に達するダイオード部のn++層を形成することが可能になる。

Claim (excerpt)：

第一導電形の第一層の上に直接あるいは第二導電形で高不純物濃度のバッファ層を介して積層された第二導電形の第二層の表面層に選択的に第一導電形の第三層、またその第三層の表面層に選択的に第二導電形の第四層を形成してなるIGBT部と、第一層の表面から第二導電形のバッファ層あるいは第二層に達する第二導電形の高不純物濃度の第五層および第二層の表面層に選択的に第一導電形の第六層を形成してなるダイオードを同一半導体素体に有する逆導通絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法において、第一導電形で低不純物濃度の半導体基板を第二層として用い、その一側に直接あるいはバッファ層を介して第一層を形成し、第一層の表面からの不純物導入により第五層を形成し、前記半導体基板の他側からの不純物導入により第三層、第四層および第五層を形成することを特徴とする逆導通絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法。