導体パターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：綿貫隆夫 , 堀米和春
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006081818
Publication number (International publication number)：2007257747
Application date： Mar. 24, 2006
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：

【課題】幅に対する高さのアスペクト比の高い導体パターンを、電気的接続性良く形成することが可能な導体パターン形成方法を提供する。【解決手段】導体パターン2の形成面2a上に、導体パターンの形成箇所6が露出する第一レジスト層8を形成する工程と、第一レジスト層8から露出した箇所6に、めっきにより一段目導体パターン10を形成する工程と、一段目導体パターン10を保護する一段目保護膜12を形成する工程と、一段目保護膜12の表面12aと一段目導体パターン10の端面10aとを平坦に研磨する工程と、一段目保護膜12の表面12aおよび一段目導体パターン10の端面10a上に、端面10aの一部が一段目導体パターン10より幅狭に露出する第二レジスト層16を形成する工程と、一段目導体パターン10の端面10a上の、第二レジスト層16から露出した箇所に、めっきにより二段目導体パターン18を形成する工程とを含む。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

導体パターンの形成面上に、導体パターンの形成箇所が露出する第一レジスト層を形成する第一レジスト層形成工程と、前記形成面の、前記第一レジスト層から露出した箇所に、めっきにより一段目導体パターンを形成する一段目導体パターン形成工程と、前記第一レジスト層を除去する第一レジスト層除去工程と、前記形成面上に、前記一段目導体パターンを覆って保護する一段目保護膜を形成する一段目保護膜被覆工程と、前記一段目保護膜の表面と前記一段目導体パターンの端面とが同一平面となるよう、両者を平坦に研磨する一段目研磨工程と、前記一段目保護膜の表面および前記一段目導体パターンの端面上に、一段目導体パターンの端面の一部が該一段目導体パターンより幅狭に露出する第二レジスト層を形成する第二レジスト層形成工程と、前記一段目導体パターンの端面上の、前記第二レジスト層から露出した箇所に、めっきにより二段目導体パターンを形成する二段目導体パターン形成工程と、前記第二レジスト層を除去する第二レジスト層除去工程と、前記一段目保護膜上に、前記二段目導体パターンの外周面を囲んで保護する二段目保護膜を形成する二段目保護膜形成工程とを含むことを特徴とする磁気ヘッドの導体パターン形成方法。

IPC (2)：

G11B 5/31 , G03F 7/20

FI (2)：

G11B5/31 F , G03F7/20 501

F-Term (5)：

2H097FA01 , 2H097JA04 , 2H097LA20 , 5D033BA39 , 5D033DA31

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

薄膜磁気ヘッドの端子形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-083854 Applicant：富士電気化学株式会社

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