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J-GLOBAL ID：200903081360595850

窒化物半導体素子

Inventor： 川口 靖利 ,  石橋 明彦 ,  横川 俊哉
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002331901
Publication number (International publication number)：2004165550
Application date： Nov. 15, 2002
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：

【課題】(0001)結晶面内における格子定数が等方的でない窒化物半導体素子もしくは基板を作製する手段を提供する。【解決手段】素子構造内に結晶欠陥を周期的に配列させることで、格子歪みを部分的に緩和もしくは印加して、(0001)結晶面内の格子定数が等方的でない窒化物半導体基板もしくは素子構造を作製する。【選択図】 図9

Claim (excerpt)：

六方晶系に属する第1の化合物半導体からなる基板と、 前記基板の<0001>軸方向への成長により形成され、半導体素子を形成するための六方晶系に属する第2の化合物半導体からなる素子層とを備え、 前記基板もしくは前記素子層のうち少なくとも一方の、互いに交差する<11-20>軸方向の格子定数のうち少なくとも一つの値が他と異なることを特徴とする半導体素子。

IPC (3)：

H01S5/323 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (3)：

H01S5/323 610 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C

F-Term (45)：

5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA67 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-128409   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-007048   Applicant：松下電器産業株式会社