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J-GLOBAL ID：200903081362400436

ドライエッチング方法および半導体装置

Inventor： 篠田 和典 ,  宮崎 勝 ,  魚見 和久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997060495
Publication number (International publication number)：1998256236
Application date： Mar. 14, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 化合物半導体のドライエッチング方法に関し、特にサイドエッチングがなく垂直異方性に優れたドライエッチング方法を提供すること。【解決手段】 炭化水素系ガスを用いた化合物半導体のドライエッチングにおいて、反応性ガスに窒素を含む化合物のガスを添加することにより垂直なエッチング加工形状を得る。【効果】 容易な手法で垂直異方性に優れたドライエッチング加工を実現できる。

Claim (excerpt)：

炭化水素ガスを含む混合ガスのプラズマをエッチャントとして、あらかじめマスクパターンを形成した被加工物に段差を形成するドライエッチング方法において、上記混合ガスに、少なくとも一つの窒素原子を有する化合物のガスが混合されていることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  H01S 3/18