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J-GLOBAL ID：200903081372021271

試料のエッチング処理方法

Inventor： 吉岡 健 ,  藤本 孝太郎 ,  佐藤 孝 ,  金清 任光 ,  金井 三郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社 日立インダストリイズ
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000276613
Publication number (International publication number)：2002083804
Application date： Sep. 07, 2000
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】フォトレジスト樹脂あるいはLow-k材料(SILK,FLARE等の炭素とSiを主成分とする低誘電率絶縁膜)のような炭素系樹脂のエッチングにおいて、非直進散乱イオンから側壁エッチングを十分に保護し、かつ溝あるいはホール底部の寸法細りを起こさないエッチング方法を提供すること。【解決手段】酸素およびBCl3 ガスとの混合ガスのプラズマによってエッチング処理する。あるいはエッチングを2つのステップに分け、第1のステップは、酸素のみを含み、BCl3 を含まないガスプラズマにてエッチングし、第2のステップは酸素および、BCl3 を含む混合ガスのプラズマによってエッチング処理する。

Claim (excerpt)：

炭素を主体とする樹脂の膜を、酸素およびBCl3 ガスとの混合ガスのプラズマによってエッチング処理することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/40 521 ,  G11B 5/31 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/40 521 ,  G11B 5/31 M ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A

F-Term (28)：

2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096CA05 ,  2H096HA12 ,  2H096HA14 ,  2H096HA15 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  2H096JA04 ,  5D033DA08 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004DA11 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB14 ,  5F004DB24 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F046MA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-019335
  
• 特開昭61-134024
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-251218   Applicant：セイコーエプソン株式会社