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J-GLOBAL ID：200903081375106758

半導体成長プロセス用ドーピングプロセス

Inventor： ティエン-ヘン チウ ,  セザー オーガスト カーヴェロ デ メンドンカ ,  マイケル デー.ウィリアムズ
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外10名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996113380
Publication number (International publication number)：1996306635
Application date： May. 08, 1996
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、半導体成長プロセス用ドーピングプロセスを提供する。【解決手段】 制御されたドーピングプロフィルを有するドープされた半導体層の成長方法が、明らかにされており、その場合、偏析効果が半導体材料全体に、それが成長するとともに、ドーパント原子を配置させる。本方法は一定量のドーパント材料を、成長させる層の厚さに関連して、材料の成長前に、基板上に堆積させる。結晶成長プロセス中、偏析効果が半導体材料全体に、ドーパント材料を配置させる。材料成長温度が、成長させる材料層内のドーパント原子の移動に寄与する。

Claim (excerpt)：

基板(10)上に、ドーパント(30)を堆積させる工程;及び堆積工程に続き、前記ドーパント及び前記基板上に、半導体材料層(20)を成長させる工程を含むドープされた半導体層の成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 21/22 P ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205