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J-GLOBAL ID：200903081393000908

GaN系材料層への電極形成方法

Inventor：
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001062324
Publication number (International publication number)：2002270619
Application date： Mar. 06, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：
【要約】【課題】 GaN系FET製造時に適用するとゲートリーク電流を小さくすることができるGaN系材料層への電極形成方法を提供する。【解決手段】 GaN系材料層4の表面4AにAl,Ti,Ta,Pt,W,Ni,Agの群から選ばれる少なくとも1種の金属もしくはそれらの合金またはそれら金属とSiとの合金6を所定のパターンで付着せしめ、温度300°C以上の熱処理を施して金属または合金の拡散層を形成し、ついで、王水または塩酸による湿式処理を施して拡散層を除去したのち、そこに、目的とする電極を形成するGaN系材料層への電極形成方法。
Claim (excerpt)：
GaN系材料層の表面にAl,Ti,Ta,Pt,W,Ni,Agの群から選ばれる少なくとも1種の金属もしくはそれらの合金またはそれら金属とSiとの合金を所定のパターンで付着せしめ、温度300°C以上の熱処理を施して前記金属または合金の拡散層を形成し、ついで、王水または塩酸による湿式処理を施して前記拡散層を除去したのち、そこに、目的とする電極を形成することを特徴とするGaN系材料層への電極形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/308
FI (3)：
H01L 21/28 A ,  H01L 21/308 G ,  H01L 29/80 F
F-Term (32)：
4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104CC03 ,  4M104DD21 ,  4M104DD24 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F043AA16 ,  5F043AA24 ,  5F043AA26 ,  5F043BB10 ,  5F043BB16 ,  5F043BB18 ,  5F043BB27 ,  5F043DD02 ,  5F043GG04 ,  5F102FA05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GN04 ,  5F102GR04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102GT05 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21 ,  5F102HC24
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-252441   Applicant：三菱電機株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-029307   Applicant：沖電気工業株式会社
  • 特開昭61-154070
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Cited by examiner (4)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-252441   Applicant：三菱電機株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-029307   Applicant：沖電気工業株式会社
  • 特開昭61-154070
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