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J-GLOBAL ID：200903081393242952

気相成長方法および気相成長装置およびハロゲン化アンモニウム除去装置

Inventor： 佐藤 裕輔 ,  片岡 敬 ,  玉置 直樹 ,  大嶺 俊光
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999179218
Publication number (International publication number)：2000080476
Application date： Jun. 25, 1999
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 基板上に窒化ケイ素膜を生成させて半導体デバイスを製造する場合における歩留まり、および装置の生産性を大幅に向上させることのできる気相成長方法及び装置の提供。【解決手段】 ケイ素化合物とヒドラジン又はその誘導体とを原料ガスとする、ケイ素と窒素を含む化合物を原料ガスとして用いる気相成長方法、ならびにシラン化合物とアンモニアとを原料ガスとし、予備反応によって生成する塩化アンモニウムを除去した反応ガスを用いて気相成長させる装置である。

Claim (excerpt)：

SiH4-x(NH2)x(但し、x≧2)、あるいはSiH2NH、あるいはSi(NH)2、あるいは(SiH2NH)x、あるいはNH2(SiH2NH)xSiH2NH2(但し、x>1)、あるいはSiH4-x(NHR)x(但し、x≧2)、あるいはSiH4-x-y(NH2)x(NHR)y(但し、x+y≦4、x≧1、y≧1)、あるいはSixNyHz(但し、y≧2)、あるいはSixNyHzFuであり、Rは、H、F、フッ素の置換が可能な炭素数1乃至3の炭化水素基である反応ガスを反応室に供給する工程と、前記反応ガスを用いて、前記反応室内に配置される基板上に窒化ケイ素膜を形成する工程と、を有することを特徴とする気相成長方法。

IPC (4)：

C23C 16/34 ,  C01B 21/068 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/318

FI (5)：

C23C 16/34 ,  C01B 21/068 Y ,  C01B 21/068 M ,  C23C 16/44 E ,  H01L 21/318 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-059971
  
• 半導体製造方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-160251   Applicant：株式会社日立製作所, 国際電気株式会社
• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-202957   Applicant：新日本製鐵株式会社