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J-GLOBAL ID：200903081393907776

誘電体セラミック材料およびその製造方法並びに積層セラミックコンデンサ

Inventor： 大谷 修 ,  伊藤 潔 ,  高橋 幸治 ,  神谷 貴志 ,  高原 弥
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 若田 勝一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997067462
Publication number (International publication number)：1998255549
Application date： Mar. 05, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】副成分の分散性を良くし、組成を均一化することにより、偏析相の発生を抑える。もって、誘電体層間厚みが10μm以下であっても、ショート不良がなく、経年による特性劣化が少なく、小型で高静電容量、低コスト、高信頼性の積層セラミックコンデンサを作るための誘電体セラミック材料およびその製造方法を提供する。【解決手段】BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3あるいはBaZrO3のうちの1種類または2種類以上を主成分とし、主成分に対して0.2wt%以上、10.0wt%以下の副成分を含有する。副成分の平均粒子径が0.001μm以上、0.15μm以下の超微粒子とする。副成分を、温度が2000°C以上、20000°C以下のプラズマ炎で加熱溶融処理することにより、超微粒子化する。

Claim (excerpt)：

BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3あるいはBaZrO3のうちの1種類または2種類以上を主成分とし、主成分に対して0.2wt%以上、10.0wt%以下の副成分を含有した誘電体セラミック材料であって、副成分の一次粒子の平均粒子径が0.001μm以上、0.15μm以下の超微粒子であることを特徴とする誘電体セラミック材料。

IPC (5)：

H01B 3/12 303 ,  C04B 35/622 ,  C04B 35/46 ,  C04B 35/48 ,  H01G 4/12 358

FI (6)：

H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358 ,  C04B 35/00 C ,  C04B 35/46 D ,  C04B 35/46 E ,  C04B 35/48 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 非還元性誘電体磁器の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-314139   Applicant：株式会社村田製作所
• セラミックコンデンサ用誘電体材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-162062   Applicant：三菱マテリアル株式会社