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J-GLOBAL ID：200903081398805920
薄膜形成装置および薄膜形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992303023
Publication number (International publication number)：1994128732
Application date： Oct. 15, 1992
Publication date： May. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 金属粒子と反応性ガスとの反応物薄膜を効率良く形成可能である。【構成】 真空槽40内に反応性ガスを導入し、真空槽内において蒸発物質を蒸発源4から蒸発させて、対電極12上の基板13に蒸着物質と反応性ガスとの反応物薄膜を形成する。ところで、本発明では、対電極12と蒸発源4との間に2つのグリッド8,9を設け、グリッド8に向けて熱電子が放出されるようにフィラメント6を配設し、グリッド8の電位V<SB>1</SB>とグリッド9の電位V<SB>2</SB>と対電極12の電位V<SB>3</SB>とを、0<V<SB>1</SB><V<SB>3</SB><V<SB>2</SB>の関係を満たすように保持する。この結果、イオン化された反応性ガスプラズマを2枚のグリッド8,9間の空間に長時間留めることができ、蒸発物質と反応性ガスプラズマとの衝突頻度を増加させて、蒸発物質の正イオン化を促進し、また、蒸発物質と反応性ガスとの反応効率を高める。
Claim (excerpt)：
真空槽内に反応性ガスを導入する反応性ガス導入手段と、真空槽内において蒸発物質を蒸発させるための蒸発源と、蒸着物質と反応性ガスとの反応物からなる薄膜が形成されるべき基板を前記蒸着源と対向するように保持する対電極と、蒸発源と対電極との間に設けられた2つのグリッドと、蒸発源側のグリッドに向けて熱電子が放出されるように配設された熱電子放出手段とを備え、蒸発源側のグリッドの電位V<SB>1</SB>と対電極側のグリッドの電位V<SB>2</SB>と対電極の電位V<SB>3</SB>とを、0<V<SB>1</SB><V<SB>3</SB><V<SB>2</SB>の関係を満たすように保持することを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2)：
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