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J-GLOBAL ID：200903081411944846

低反射部材

Inventor： 山本 孝幸 ,  野田 謙 ,  南崎 喜博 ,  朝尾 浩幸 ,  遠藤 喜重 ,  小野 雅彦
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社 ,  株式会社日立製作所
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992341438
Publication number (International publication number)：1994155652
Application date： Nov. 26, 1992
Publication date： Jun. 03, 1994
Summary：

【要約】【構成】 支持基材の表面に、好ましくは平均粒径が10nm〜1μmのシリカ微粒子を単粒子層として配列し、これを好ましくはエポキシ基および/またはビニルエーテル基を有するカチオン重合性の単量体を主成分とするバインダー成分で被覆し紫外線照射によって硬化させてなるものである。また、上記単粒子層中に、さらに導電性微粒子が配されているか、または該単粒子層と基体との間に、導電性微粒子とカチオン重合性の単量体を主成分とするバインダー成分とを含有する帯電防止層が設けられているものである。【効果】 耐熱性に劣る基体にも適用できて、基体表面にシリカ粒子を結着させる薄膜を形成してなる低反射部材、さらにこの低反射機能を有する低反射部材に、導電性機能を付加してなる低反射部材が提供できる。

Claim (excerpt)：

支持基材の少なくとも片面にシリカ微粒子が単粒子層として配列され、該シリカ微粒子がカチオン重合性の単量体を主成分とするバインダー成分にて固定されてなることを特徴とする低反射部材。

IPC (8)：

B32B 9/00 ,  C09D 4/00 PDQ ,  C09D 5/00 PNV ,  C09D 5/00 PNW ,  C09D 5/00 PPQ ,  C09D 5/24 PQW ,  C09D163/00 PHZ ,  G02B 1/10