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J-GLOBAL ID:200903081419114346

ホウ素および窒素を含有する被膜を析出させる方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 矢野 敏雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992106480
Publication number (International publication number):1993239648
Application date: Apr. 24, 1992
Publication date: Sep. 17, 1993
Summary:
【要約】【目的】 公知の方法の欠点を有しない、ホウ素(B)および窒素(N)を含有する被膜の析出方法を提供する。【構成】 N-置換のボラゾールで、特にプラズマCVD法に従ってBおよびNを含有する被膜を析出させる。
Claim (excerpt):
基板にホウ素(B)および窒素を含有する被膜を析出する方法において、一般式(I)、(II)または(III):【化1】[式中、R1,R2およびR3は同じかまたは異なっていてもよく、かつ:1〜12個の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖状アルキル基;ハロゲン、低級アルキルオキシ、ジ低級アルキルアミンおよびそのBH3の付加物から選ばれた一つ以上の置換基により置換された直鎖または分枝鎖状アルキル基;一つ以上のアリール基、特にフェニル基により置換された直鎖または分枝鎖状アルキル基;ハロゲン、低級アルキル、ハロゲン化低級アルキル基のグループから選ばれた一つ以上の置換基により置換されている、一つ以上のアリール基により置換された直鎖または分枝鎖状アルキル基;C4〜C7-炭素環を有するシクロアルキル、シクロアルケニルまたはシクロアルカジニル基;低級アルキル基により置換されたC4〜C7-炭素環を有するシクロアルキル、シクロアルケニルまたはシクロアルカジニル基;アリール、特にフェニル、トルイル、一つ以上の縮合環を有するアリール、特にナフチル基;ハロゲン、低級アルキル;ハロゲンにより置換された低分子アルキル基;低分子アルコキシ基;ジ低分子アルキルアミン基;フェニル基;C4〜C7の炭素環を有するシクロアルキル基のグループから選ばれた一つ以上の置換基により置換された、アリール、特にフェニル基;2〜4個の炭素原子を有するアルケニル基;トリ低級アルキルシリイル基;ハロゲン、有利にはフッ素、を表わす]の化合物の分解によりBおよびNを含有する被膜を析出させることを特徴とするホウ素および窒素を含有する被膜を析出させる方法。
IPC (2):
C23C 16/38 ,  C23C 16/34

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