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J-GLOBAL ID：200903081420830071
プラズマ処理装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993041498
Publication number (International publication number)：1994260425
Application date： Mar. 02, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：
【要約】【目的】 磁場発生手段59及び、電磁波供給手段としてのソース用高周波電源55を有するプラズマ源60と、被プラズマ処理物61に高周波バイアスパワーを印加するためのバイアス用高周波電源69とを具えるプラズマ処理装置において、バイアス用高周波電源69の電磁波がプラズマ源60に影響することを防止若しくは従来より低減すること。【構成】 バイアス用高周波電源69として、被プラズマ処理物61表面における電子のサイクロトロン周波数より高くかつ生成されるプラズマにおける左回りカットオフ周波数より低い周波数の高周波電力を印加し得るバイアス用高周波電源を具える。
Claim (excerpt)：
磁場発生手段及び電磁波供給手段を有するプラズマ源と、被プラズマ処理物に高周波バイアスパワーを印加するためのバイアス用高周波電源とを具えるプラズマ処理装置において、バイアス用高周波電源として、被プラズマ処理物表面における電子のサイクロトロン周波数より高くかつ生成されるプラズマにおける左回りカットオフ周波数より低い周波数の高周波電力を印加し得るバイアス用高周波電源を具えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6)：
H01L 21/205
, B01J 19/08
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/302
, H05H 1/24
