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J-GLOBAL ID：200903081425844976

原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法

Inventor： 尹 鐘 皓 ,  崔 殷 碩
Applicant, Patent owner： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
Agent (1)： 笹島 富二雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001122184
Publication number (International publication number)：2002053959
Application date： Apr. 20, 2001
Publication date： Feb. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】高い蒸着速度で形成することができる原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法を提供する。【解決手段】基板がローディングされているチャンバー内に第1反応物としてZr(OBut)4を注入して基板上にZr(OBut)4を吸着させた後、前記チャンバー内に不活性のアルゴンガスを注入して基板上に吸着しなかったZr(OBut)4などをチャンバー外へ排出し、第1次パージ工程を実施する(S100〜S300)。そして、前記チャンバー内に第2反応物としてアンモニアガスを注入して基板上に吸着されているZr(OBut)4を分解して酸化ジルコニウム薄膜を形成した後、チャンバー内に不活性のアルゴンガスを注入して反応しなかったアンモニアガスなどをチャンバー外へ排出し、第2次パージ工程を実施する(S400、500)。

Claim (excerpt)：

チャンバー内の基板上にアルコキシドを吸着させる第1工程と、前記チャンバー内を1次パージさせる第2工程と、前記吸着されたアルコキシドを分解させ酸化ジルコニウム薄膜を形成する第3工程と、前記チャンバー内を2次パージさせる第4工程と、を備えてなることを特徴とする原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法。

IPC (2)：

C23C 16/40 ,  H01L 21/316

FI (2)：

C23C 16/40 ,  H01L 21/316 X

F-Term (12)：

4K030AA11 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030DA06 ,  4K030DA08 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF01