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J-GLOBAL ID:200903081426449353
誘電体材料およびセラミック部品
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石井 陽一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993019626
Publication number (International publication number):1994208805
Application date: Jan. 12, 1993
Publication date: Jul. 26, 1994
Summary:
【要約】【目的】 高誘電率を有し、しかも、Ag系電極と同時焼成が可能で、さらに、誘電率の温度特性の良好な誘電体材料を提供し、また、この誘電体材料を用いることにより、誘電体層をAg系電極と同時焼成することが可能なセラミック部品を提供する。【構成】 酸化鉛、酸化ビスマス、酸化マグネシウムおよび酸化ニオブが、3成分組成図においてABCDを頂点とする四角形の辺上(ただし、線分CD上を除く)および内部で表わされるモル比率で含有され、かつ1/3<PbO/(PbO+Bi<SB>2</SB> O<SB>3</SB> )<1であり、鉛系パイロクロア相とビスマスレイヤーとビスマス系パイロクロア相との混相を有する誘電体材料。
Claim (excerpt):
酸化鉛、酸化ビスマス、酸化マグネシウムおよび酸化ニオブを含み、これらをそれぞれPbO、Bi<SB>2</SB> O<SB>3</SB> 、MgOおよびNb<SB>2</SB> O<SB>5</SB> に換算したときの含有モル比率が、(PbO+Bi<SB>2</SB> O<SB>3</SB> ,MgO,Nb<SB>2</SB> O<SB>5</SB> )の3成分組成図においてA(0.4,0.2,0.4)、B(0.6,0.2,0.2)、C(0.8,0,0.2)およびD(0.6,0,0.4)を頂点とする四角形の辺上(ただし、線分CD上を除く)および内部で表わされ、かつ1/3<PbO/(PbO+Bi<SB>2</SB> O<SB>3</SB> )<1であることを特徴とする誘電体材料。
IPC (3):
H01B 3/12 313
, C04B 35/00
, H01G 4/12 358
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