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J-GLOBAL ID：200903081430364958
半導体レーザ素子及び半導体レーザ駆動装置及び半導体レーザ駆動方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
佐野 静夫
, 山田 茂樹
, 小寺 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002382174
Publication number (International publication number)：2004214407
Application date： Dec. 27, 2002
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：
【課題】本発明は、素子構造の作製が容易で、かつ消費電力が小さく、戻り光雑音を低減できる半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【解決手段】双安定状態で動作するように半導体レーザ素子10を構成する。そして、端子1aに有色雑音を重畳した高周波の変調電流を供給することで、この有色雑音が重畳された変調電流を光増幅領域7aに注入する。このとき、端子1bを介して可飽和吸収領域7bに定電流を注入し、光増幅領域7aへの注入電流と光出力との関係にヒステリシスが形成されるように調整する。このようにして、振幅の大きい光出力が得られる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
注入される電流を増幅して光を発生する光増幅領域と光増幅領域で発生した光を吸収する可飽和吸収領域より成るとともにレーザ光を発生する活性層を有し、前記光増幅領域へ供給される電流値に対して出力するレーザ光の出力を表す電流-光出力特性がヒステリシスを有する双安定状態で動作する半導体レーザ素子において、
前記光増幅領域に電流を注入する第1電極と、
前記可飽和吸収領域に電流を注入する第2電極と、
を備え、
前記第1電極に直流の動作電流に高周波電流が重畳された変調電流が供給されるとともに、前記第1電極及び前記第2電極のいずれか一方に雑音電流が供給されることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (11)：
5F073AA11
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB24
, 5F073BA05
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073EA01
, 5F073EA27
Cited by examiner (3)
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特開平2-137383
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飽和性吸収体を備えた半導体レーザ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-041708
Applicant：アルカテル・エヌ・ブイ
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ガス測定装置、ガス警報装置及びガス測定方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-096184
Applicant：モトサンエンジニアリング株式会社
Article cited by the Patent：
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