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J-GLOBAL ID：200903081434283774

半導体光部品

Inventor： 鈴木 良治
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993150963
Publication number (International publication number)：1995015080
Application date： Jun. 23, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】従来の斜め導波路と同等以上の低反射率を維持した状態でその作成及び実装を容易にする。【構成】化合物半導体基板11上に結晶を成長させて光部品の構造を形成した後、劈開面17に沿って劈開し、その劈開面17を光の入出射面とする半導体光部品である。前記基板11として、(100)面から光の入出射方向に0 ゚〜10 ゚のオフアングルを持つ基板11を用い、前記光の入出射面を光の入出射方向に対する垂直面からオフアングルの角度分だけ傾斜させた。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に結晶を成長させて光部品の構造を形成した後、劈開面に沿って劈開し、その劈開面を光の入出射面とする半導体光部品において、前記化合物半導体基板として、基準結晶面から光の入出射方向にオフアングルを持つ基板を用い、前記光の入出射面を光の入出射方向に対する垂直面から前記オフアングルの角度分だけ傾斜させたことを特徴とする半導体光部品。