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J-GLOBAL ID：200903081462052184

微細パターンの作成方法

Inventor： 徳田 一成
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 奈良 武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992355901
Publication number (International publication number)：1994186412
Application date： Dec. 18, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高さが連続的に変化する微細パターンを効率よく生産する。【構成】 フォトレジスト6に所定のパターンを形成する際、透光部もしくは遮光部が複数に分割され、この透光部もしくは遮光部の面積の割合をそのパターンの高さの変化に対応させたフォトマスクを用いる。そのフォトマスクを介してフォトレジスト6を露光してフォトレジスト6に露光量分布を与えることにより、基板1に対する高さが変化するようなパターンをフォトレジスト6に形成する。

Claim (excerpt)：

基板上にフォトレジストを塗布し、該レジストに所定のパターンを形成する際、基板に対する高さが変化するようなパターンとし、このパターンを基に、該基板に微細なパターンを形成する微細パターンの作成方法において、該レジストに所定の該パターンを形成する際、透光部もしくは遮光部が複数に分割され、この透光部もしくは遮光部の面積の割合を該パターンの高さの変化に対応させたフォトマスクを用い、該フォトマスクを介してレジストを露光してレジストに露光量分布を与えることにより、基板に対する高さが変化するようなパターンをレジストに形成することを特徴とする微細パターンの作成方法。

IPC (5)：

G02B 5/18 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭59-116602
  
• 特開昭62-265601
  
• 特開昭61-027505
  

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-116602
  
• 特開昭62-265601
  
• 特開昭61-027505