リッジ導波管半導体レーザーダイオードを製造するための自己整合法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：曾我道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998337815
Publication number (International publication number)：2000022261
Application date： Nov. 27, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】歩留まりとデバイスの安定性とを向上させたリッジ導波管半導体レーザーを製造するための自己整合法を提供すること。【解決手段】下側フォトレジストODUR1013と、上側フォトレジストAZ5214Eとの2つのフォトレジスト層を用いる。下側層は波長300nm未満の光によってのみ現像可能であり、上側層は波長が300nmより大きい光によってのみ現像可能である。リッジ構造の頂部に開口部を形成する工程で、上側層を現像すると共に下側層を露出すべくG線マスク位置合わせ装置を用いる。更にRIEプロセスを行い、下側層と開口部内の絶縁体とを除去する。RIEプロセスでリッジ構造の側壁を保護するために上側層の残存部分を使用する。

Claim (excerpt)：

リッジ導波管半導体レーザーダイオードを製造するための自己整合法であって、半導体基板上に第1被覆導波層を形成する工程と、前記第1被覆導波層上にアクティブ層を形成する工程と、前記アクティブ層上に第2被覆導波層を形成する工程と、前記第2被覆導波層上にキャップ層を形成する工程と、前記キャップ層上に第1絶縁体層を形成してパターン化する工程と、前記パターン化された第1絶縁体層をマスクとして用いてエッチングプロセスを行うことにより、ダブルチャネル及びリッジ構造を形成する工程と、前記第1絶縁体層を除去する工程と、前記ダブルチャネル及び前記リッジ構造を被覆する第2絶縁体層を前記基板上に形成する工程と、第1の光に反応する第1フォトレジスト層を前記第2絶縁体層上に形成する工程と、前記第1の光とは異なる第2の光に反応する第2フォトレジストの層を前記第1フォトレジスト層上に形成する工程と、前記第1フォトレジスト層および前記第2フォトレジスト層に第2の光を露光することにより、前記第1フォトレジスト層を現像して、前記リッジ構造の真上に開口部を形成するが、前記第2フォトレジストを現像しない工程と、前記第2フォトレジスト層をマスクとして用い、前記第2絶縁体層の上に位置する前記第1フォトレジスト層を除去することにより、前記第2絶縁体層を露出させると共に、前記リッジ構造の側面に位置する前記第1フォトレジスト層を除去せずに残す工程と、前記キャップ層を露出させるために、前記露出した第2絶縁体層を除去する工程と、前記第1フォトレジスト層の残存部分と前記第2フォトレジスト層とを除去する工程と、前記第2絶縁体層と前記リッジ構造の頂部に位置する露出した前記キャップ層との上に第1電極である第1金属層を形成する工程と、前記基板の反対側の面の上に第2電極としての第2金属層を形成する工程とを備えることを特徴とするリッジ導波管半導体レーザーダイオードを製造するための自己整合法。

F-Term (6)：

5F073AA13 , 5F073CB22 , 5F073DA22 , 5F073DA25 , 5F073DA30 , 5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-244576 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平4-147685
半導体レーザーダイオード製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-270057 Applicant：サムソンエレクトロニクスカンパニーリミテッド

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