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J-GLOBAL ID：200903081465590748

多層配線構造における接続孔の埋め込み方法

Inventor： 田口 充
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997043168
Publication number (International publication number)：1998242268
Application date： Feb. 27, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 下層配線に通じる接続孔内に配線材料を埋め込むに際して、下層配線に影響のない比較的低温の処理で埋め込みを行うことができ、しかも層間絶縁膜が水分を多く含有していてもこれに影響されることなく良好に埋め込みを行うことのできる、接続孔の埋め込み方法の提供が望まれている。【解決手段】 基体10上に低融点金属あるいは低融点合金からなる下層配線11を形成し、下層配線11を覆って層間絶縁膜12、13を形成し、下層配線11に通じる接続孔14を形成し、接続孔14内を覆って層間絶縁膜12、13上にチタンを成膜し、チタン膜15にプラズマ窒化法による窒化処理を施してチタン膜15を窒化チタン膜16にし、窒化処理後、低融点金属あるいは低融点合金からなる配線材料17を成膜し、配線材料17からなる膜を高圧リフロー法によって接続孔14内に埋め込む、多層配線構造における接続孔の埋め込み方法。

Claim (excerpt)：

基体上に低融点金属あるいは低融点合金からなる下層配線を形成する工程と、前記下層配線を覆って層間絶縁膜を形成する工程と、前記下層配線に通じる接続孔を前記層間絶縁膜に形成する工程と、前記接続孔内を覆って前記層間絶縁膜上にチタンを成膜する工程と、前記チタン膜にプラズマ窒化法による窒化処理を施し、チタン膜を窒化チタン膜にする工程と、窒化処理後、低融点金属あるいは低融点合金からなる配線材料を前記接続孔を覆った状態で成膜する工程と、前記配線材料からなる膜を高圧リフロー法によって前記接続孔内に埋め込む工程とを備えたことを特徴とする多層配線構造における接続孔の埋め込み方法。