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J-GLOBAL ID：200903081468083430
FET型センサと、そのセンサを用いたイオン濃度検出方法及び塩基配列検出方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (5)：
武石 靖彦
, 村田 紀子
, 徳岡 修二
, 重本 博充
, 大角 菜穂子
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2002011752
Publication number (International publication number)：WO2003042683
Application date： Nov. 11, 2002
Publication date： May. 22, 2003
Summary：
半導体基板(1)の表面に、基板と逆型の拡散領域からなる入力ダイオード部(2)及び浮遊拡散部(3)と、入力ダイオード部から浮遊拡散部までの間の絶縁膜(5)上に固定された入力ゲート(6)及び出力ゲート(7)と、その入/出力ゲート間の絶縁膜上に固定されたイオン感応膜からなるセンシング部(9)と、浮遊拡散部の他の側部に連なる位置の絶縁膜上に固定されたリセットゲート(8)と、リセットゲートにおける浮遊拡散部と反対側に形成された基板と逆型の拡散領域からなるリセットダイオード部(4)とを備え、センシング部に作用するイオン濃度に応じて変化するポテンシャル井戸の深さと汲み出し回数に応じて浮遊拡散部が蓄積する電荷量を検出するFET型センサを用いて、イオン濃度検出及び塩基配列の検出を行う。
Claim (excerpt)：
P型又はN型半導体基板の表面側に所定の間隔を置いて形成された、基板と逆型の拡散領域からなる入力ダイオード部及び浮遊拡散部と、
前記入力ダイオード部から浮遊拡散部までの間に形成されるべき導通チャネルの始端及び終端にそれぞれ対応した基板表面上の位置に、絶縁膜を介して固定された入力ゲート及び出力ゲートと、
前記チャネルの中間部に対応した基板表面上の位置に、絶縁膜を介して固定されたイオン感応膜からなるセンシング部と、
前記浮遊拡散部の、前記チャネルから離れた側に連なる前記基板表面上の位置に、絶縁膜を介して固定されたリセットゲートと、
前記リセットゲートにおける前記浮遊拡散部から離れた側の前記基板表面部に形成された、基板と逆型の拡散領域からなるリセットダイオード部とを備え、
前記センシング部に、同部内の試料液中の検体と反応もしくは結合し又は検体の反応の触媒となる物質を固定し、その結果、前記センシング部に作用するイオン濃度に応じて変化したポテンシャル井戸の深さと、そのポテンシャル井戸からの汲み出し回数に応じ、電位リセット後の前記浮遊拡散部が蓄積する電荷量を、電位変化として検出するようにしたことを特徴とするFET型センサ。
IPC (6)：
G01N27/414
, C12M1/00
, C12Q1/68
, G01N27/327
, H01L21/822
, H01L27/04
G01N27/30 301V
, C12M1/00 A
, C12Q1/68 A
, G01N27/30 351
, G01N27/30 301N
, G01N27/30 301W
, H01L27/04 F
, G01N27/30 301K
, G01N27/30 301Y
, C12N15/00 Z
