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J-GLOBAL ID：200903081473306196

半導体薄膜の作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  大谷 久 ,  宮永 昭治 ,  寺本 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996028649
Publication number (International publication number)：1997199420
Application date： Jan. 23, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【目的】 ニッケルを用いて結晶化させた珪素膜中のニッケル元素を減少させる技術を提供する。【構成】 ガラス基板101上に形成された非晶質珪素膜103にニッケルを微量に導入し、加熱により結晶化させる。この際、結晶化した珪素膜105中にはニッケル元素が残留している。そこで、結晶化した珪素膜105の表面に非晶質珪素膜107を形成し、さらに加熱処理を行う。この加熱処理を行うことによって、非晶質珪素膜107中にニッケル元素が拡散し、結晶化した珪素膜105中のニッケル濃度を下げることができる。

Claim (excerpt)：

非晶質珪素膜中に金属元素を導入する工程と、前記非晶質珪素膜を結晶化させて結晶性珪素膜を得る工程と、前記結晶性珪素膜上に不純物を含有する非晶質珪素膜を形成する工程と、前記不純物を含有する非晶質珪素膜中に前記金属元素を拡散させる工程と、前記不純物を含有する非晶質珪素膜を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体薄膜の作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-148560   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-156594   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
• 特開平3-280435