Pat

J-GLOBAL ID：200903081488441812

熱処理装置

Inventor： 棚橋 隆司
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン東北株式会社
Agent (1)： 小原 肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993040408
Publication number (International publication number)：1994232064
Application date： Feb. 04, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウエハが大口径化及び超微細化してもその表面の電気的特性の劣化を防止できる熱処理装置を提供する。【構成】 本熱処理装置は、ウエハボート2を熱処理容器1に対してロード及びアンロードするロード・アンロード機構3と、ロード・アンロード機構3で支持されたウエハボート2とウエハカセットCとの間で半導体ウエハWを遣取りするウエハトランスファ4と、これらの各機器が配置された処理空間5Aを有する筐体5と、筐体5の処理空間5Aの側面に配設され且つこの側面で吸引する空気をこれに対向する他面に向けて除塵しながら送る第1送風機121及び第1フィルタ122を有する第1送風機構12とを備え、吸引空気の上記フィルタの上流側に第1活性炭フィルタ15を設け、この活性炭フィルタ15により吸引空気中に含有される有機系ガスを除去するようにしたものである。

Claim (excerpt)：

被処理体を熱処理する熱処理用機器を収納する筐体と、この筐体内に配設され且つその内部で空気の循環流を形成して空気中の塵埃を除去する送風手段及び除塵用フィルタを有する送風機構とを備え、上記循環流の上記除塵用フィルタの上流側に活性炭フィルタを設け、この活性炭フィルタにより循環流の空気中に含有される有機系ガスを除去することを特徴とする熱処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置並びにその製造方法及びその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-058057   Applicant：日立プラント建設株式会社, 株式会社日立製作所