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J-GLOBAL ID：200903081501577184

研磨方法及びそれを用いた研磨装置

Inventor： 乳井 勝 ,  伴 箕▲吉▼
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 高梨 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996139612
Publication number (International publication number)：1997298175
Application date： May. 09, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 化学的機械的研磨で誘電体層を積層したウエハの表面の平坦化を図る際の研磨終了点を適切に判断し、良好に平坦化された半導体デバイスが得られる研磨方法及びそれを用いた研磨装置を得ること。【解決手段】 基板面に設けた膜層の表面を研磨手段で双方を相対的に駆動させて研磨する研磨方法において、該膜層の表面から該膜層の膜厚よりも十分長い位置に基準面を設定し、光源手段から可干渉性距離の異なる第1,第2光束を該膜層と該基準面に照射し、該第1光束に基づく各面からの反射光束と該第2光束に基づく各面からの反射光束とを検出手段で個別に検出して該膜層の表面情報を求め該検出手段からの信号に基づいて制御手段で該膜層の研磨の続行又は停止を制御していること。

Claim (excerpt)：

基板面に設けた膜層の表面を研磨手段で双方を相対的に駆動させて研磨する研磨方法において、該膜層の表面から該膜層の膜厚よりも十分長い位置に基準面を設定し、光源手段から可干渉性距離の異なる第1,第2光束を該膜層と該基準面に照射し、該第1光束に基づく各面からの反射光束と該第2光束に基づく各面からの反射光束とを検出手段で個別に検出して該膜層の表面情報を求め該検出手段からの信号に基づいて制御手段で該膜層の研磨の続行又は停止を制御していることを特徴とする研磨方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04

FI (4)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 E ,  B24B 37/00 F ,  B24B 37/04 D