半導体レーザ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：光石俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995169587
Publication number (International publication number)：1997023036
Application date： Jul. 05, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】出射ビーム径の大きな半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザ11の半導体活性層13の一部をテーパ状のテーパ部13aに加工し、細くなったテーパ状の活性層の先をそのままの幅でストライプ状に延長し、レーザの端面に到達させるものであり、前記半導体活性層13のテーパ部13aは、100μm以上とすると共に、テーパ部13aの先端部の延長部分が100μm以下である。

Claim (excerpt)：

半導体活性層の一部において該半導体活性層の幅がテーパ状に細くなり、該テーパ状活性層の幅が細くなった側の先端部に、該先端部と同じ幅を持つストライプ状の活性層が一体に接続していることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭57-052186
特開平2-078291
特開昭63-305580

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