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J-GLOBAL ID：200903081508713636
半導体圧力センサ及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998085641
Publication number (International publication number)：1999281509
Application date： Mar. 31, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：
【要約】【課題】ダイアフラム式半導体圧力センサにおいて、被測定流体中の荷電物や外部からの電磁波ノイズに対処でき、このノイズ対処をダイアフラムの感度を損なうことなく低コストで実現させる。【解決手段】基板10の一面に基準圧力室70と該基準圧力室を覆うダイアフラム200とが形成される。このダイアフラムは基準圧力室70と反対の面に被測定流体の圧力がかかることで変位し、その変位を電気信号に変換する。ダイアフラム200のうち被測定流体が接触する受圧面に絶縁膜210が被覆され、さらに絶縁膜210の上に電磁シールド用導電膜220が接地状態で被覆されている。
Claim (excerpt)：
被測定流体の圧力に応動するダイアフラムを備えた半導体圧力センサにおいて、前記ダイアフラムのうち被測定流体が接触する受圧面に絶縁膜を介して電磁シールド用導電膜が接地状態で被覆されていることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (3)：
G01L 9/12
, H01L 21/306
, H01L 29/84
G01L 9/12
, H01L 29/84 Z
, H01L 21/306 Z
Cited by examiner (8)
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