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J-GLOBAL ID：200903081510038997

エッチング方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 村山 啓一 ,  古川 秀利 ,  福井 武司 ,  田中 毅 ,  上田 大助
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999210458
Publication number (International publication number)：2001035840
Application date： Jul. 26, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 再現性のよいエッチング方法を提供し、また、半導体装置の歩留まりを向上することを目的とする。【解決手段】 活性層3の表面に、活性層3を酸化できる過酸化水素水を接触させることにより活性層3の表面に酸化層9を形成した後に、酸化層9を除去できる酒石酸水溶液を用いて酸化層9を除去することによりリセス部6を形成し、リセス部6内の活性層3上にゲート電極7を形成する。

Claim (excerpt)：

被エッチング部材の表面に酸化剤を接触させることにより前記被エッチング部材の表面に形成される酸化層の厚さの増加が飽和した後に、酸化層除去剤を用いて前記酸化層を除去することを特徴とするエッチング方法。

IPC (6)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (4)：

H01L 21/308 C ,  H01L 21/306 B ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 F

F-Term (28)：

5F003BB04 ,  5F003BE04 ,  5F003BF06 ,  5F003BP95 ,  5F003BP97 ,  5F003BZ03 ,  5F043AA02 ,  5F043AA05 ,  5F043AA13 ,  5F043AA14 ,  5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043BB30 ,  5F043DD02 ,  5F043DD08 ,  5F043DD30 ,  5F043FF10 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL02 ,  5F102GL03 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GN05 ,  5F102GR04 ,  5F102GS05 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19