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J-GLOBAL ID：200903081521599877

受光素子および光通信デバイス

Inventor： 丸野 茂光 ,  中畑 匠 ,  阿部 雄次
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001363921
Publication number (International publication number)：2003163361
Application date： Nov. 29, 2001
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】 化合物半導体を用いることなく、Si基板上に受信回路とモノリシックにかつ安価に形成される受光素子、およびその受光素子を含む小型化された光通信デバイスを提供する。【解決手段】 Si層1上に位置するn導電型のSiGeグレーデッドバッファ層2と、SiGeグレーデッドバッファ層上に位置し、光吸収を行なう真性半導体であるi-SiGe層3と、そのi-SiGe層上に位置するp導電型のSiGe層4とを備える。

Claim (excerpt)：

Si層上に位置する第1導電型のSiGeグレーデッドバッファ層と、前記SiGeグレーデッドバッファ層上に位置し、光吸収を行なう真性半導体のi-SiGe層と、前記i-SiGe層上に位置する第2導電型のSiGe層とを備える、受光素子。

F-Term (8)：

5F049MA04 ,  5F049MB03 ,  5F049NA18 ,  5F049NA19 ,  5F049NB01 ,  5F049QA07 ,  5F049RA10 ,  5F049SS03