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J-GLOBAL ID：200903081528176327

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 田中 浩司 ,  宮本 博司 ,  安田 憲一 ,  菊田 繁
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994165610
Publication number (International publication number)：1995122645
Application date： Jul. 18, 1994
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の高集積化に伴って積層化が進み半導体基板表面から層間絶縁膜の上部表面までの高さが高くなったとしても、コンタクトホールを容易に形成することが可能な半導体装置を提供する。【構成】 Nウェル電位固定領域6上に配線パッド12aを形成し、その配線パッド12a上に層間絶縁膜13のコンタクトホール13cを形成する。

Claim (excerpt)：

主表面を有する第1導電型の半導体領域と、前記半導体領域の主表面上の所定領域に形成され、前記半導体領域の電位を固定するための第1導電型の電位固定領域と、前記半導体領域を覆うように形成され、前記電位固定領域上に第1の開口を有する第1の層間絶縁層と、前記第1の開口を介して前記電位固定領域に電気的に接続するように形成され、前記第1の開口内に位置する第1の部分と前記第1の層間絶縁層の上部表面上に沿って延びる第2の部分とを有するパッド層と、前記半導体領域の全面を覆うように形成され、前記パッド層の上方に第2の開口を有する第2の層間絶縁層と、前記第2の開口を介して前記パッド層の上部表面上に電気的に接続するように形成された電位供給層とを備えた、半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/90 D ,  H01L 29/78 301 X